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芯片与硬件 单一来源

据报道海力士与美光将在台积电3纳米工艺上制造NVHBM基础裸片

由 WORLDTECH 译自英文。事实、数字、名称和来源均与英文原文一致。 English

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示意图片。图片:Phong Thanh / Pexels

据首尔经济日报报道,海力士与美光打算为其定制NVHBM内存采购台积电(TSMC)3纳米工艺生产的基础裸片。该消息经Electronics Weekly的报道传至读者,文中未引用其他媒体来源。

首尔报道的内容

首尔经济日报称,两家存储厂商计划在台积电3纳米工艺上生产其定制高带宽内存的基础裸片。NVHBM即为该定制产品,而HBM总体上是与处理器相邻堆叠的内存,以便更快地获得数据。

Electronics Weekly刊发了这一消息,但其发布的文本被截断,因此现有材料无法核实该安排的其余细节。

相关公司

台积电(TSMC)是一家半导体公司,总部位于新竹科学园区,成立于1987年。美光(Micron)总部位于博伊西,成立于1978年,其产品包括计算机内存。

待解问题

  • 海力士或美光是否已确认与台积电的这一安排?
  • NVHBM的3纳米基础裸片涉及何种产量或时间安排?

关键事实

  • 据首尔经济日报报道,海力士与美光计划在台积电3纳米工艺上制造基础裸片,用于名为NVHBM的定制HBM产品。
  • HBM是与处理器相邻堆叠的内存,可以更快地接收数据。
  • 台积电(TSMC)是一家半导体公司,总部位于新竹科学园区,成立于1987年。
  • 美光(Micron)总部位于博伊西,成立于1978年,其产品包括计算机内存。

来源与证据