WORLDTECHUC Berkeley, Samsung und Intel veröffentlichen Studie zu nanoelektromechanischem eDRAM
Forscher der UC Berkeley, von Samsung Electronics und Intel haben eine Arbeit über ein nanoelektromechanisch gesteuertes Gain-Cell-eDRAM veröffentlicht, wie Semiconductor Engineering berichtet. Die Studie erschien im IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits.
Angaben zur Veröffentlichung
Die Arbeit mit dem Titel Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM wurde von Wissenschaftlern veröffentlicht, die der UC Berkeley, Samsung Electronics und Intel zugeordnet sind. Sie erschien 2026 im IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits auf den Seiten 223 bis 230.
Semiconductor Engineering berichtete über die Veröffentlichung unter der Überschrift, auf der diese Zusammenfassung beruht. Der Bericht ist die einzige Quelle, auf die sich die vorliegenden Fakten stützen.
Die beteiligten Unternehmen
Intel ist ein Halbleiter- und Elektrounternehmen mit Sitz in Santa Clara, gegründet 1968. Samsung ist ein Elektronikkonzern mit Sitz in Suwon, gegründet 1969. Welche konkrete Rolle jede Organisation in der Forschung spielte, geht aus den Fakten nicht hervor.
Offene Fragen
- Welche Leistungs- oder Effizienzgewinne die nanoelektromechanischen Schalter gegenüber herkömmlichem eDRAM erzielen?
- Wie sich die Arbeit zwischen UC Berkeley, Samsung und Intel aufteilte?