Deterministische Keimbildung ermöglicht kontrolliertes Wachstum von 2D-Halbleitern (KAIST, TDS, Hanyang et al.)

Was passiert ist

Deterministische Keimbildung ermöglicht kontrolliertes Wachstum von 2D-Halbleitern (KAIST, TDS, Hanyang et al.), berichtet Semiconductor Engineering. Forscher von KAIST, TDS Innovation, der Hanyang University, UNIST et al. haben eine Facharbeit mit dem Titel „Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux“ veröffentlicht.

Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux. Der Beitrag Deterministische Keimbildung ermöglicht kontrolliertes Wachstum von 2D-Halbleitern (KAIST, TDS, Hanyang et al.) erschien zuerst auf Semiconductor Engineering .