Carbon-Dot-Schicht ermöglicht ultradünne High-κ-Dielektrika auf 2D-Halbleitern (UIUC, NETL, Argonne, Monash)

Was passiert ist

Forscher der University of Illinois Urbana-Champaign, des National Energy Technology Laboratory, des Argonne National Laboratory und der Monash University haben eine Facharbeit veröffentlicht mit dem Titel „Integration of high-κ oxide on 2D semiconductors with carbon-dot monolayer assembly as van der Waals interfacial layer“. Auszug aus dem Abstract: „Diese atomar dünne Schicht bildet eine van-der-Waals-Grenzflächenschicht, die die Abscheidung ultradünner High-κ-Oxide ermöglicht.“